先日にはQualcommはSnapdragon 8 Gen 1を正式発表。来年登場するハイエンドモデルの多くが搭載すると思われ、さらにSoCのスペックを見ることで来年登場する機種のスペックの一部を推測することもできます。
ただSnapdragon 8 Gen 1の懸念点は発熱です。現行のSnapdragon888がひどいからこそ発熱に対する注目度が高い。今回GizChinaがSnapdragon 8 Gen 1よりDimensity9000の方が業界の評価高いと報告しているので簡単にまとめたいと思います。
主な違い。
同世代のSoCなので比較対象となりますが業界の評価はDimensity9000の方が高いとされています。ざっくりと違いを比較すると以下のようになります。
Dimensity9000 | Snapdragon 8 Gen 1 | |
サプライヤー | TSMC | Samsung |
GPU | Maik-G710 | Adreno730 |
ミリ波 | × | ○ |
メインコアに関してはCortex-X2と同じ。ただ高効率コアはDimensity9000がCortex-A710 Largeを3つ搭載していること。
やはり製造プロセスの違いが評価の大きな違いとなっており、SamsungよろTSMCの方がより効率的かつ安定しているとしています。ベンチマークで計測しても基本はSnapdragonの方が高いことが多い。
発熱は不安しかない。
MediaTekのCEOはSnapdragon888に対して「期待しすぎた」と評価しており発熱の酷さを批判。その上でDimensity9000にそのような発熱の問題はないと、Snapdragon 8 Gen 1が正式発表される前の話ですが牽制をしています。
それだけDimensity9000は発熱しにくいと思われます。もちろん過度の期待は禁物です。ちなみに直近のSnapdragonとサプライヤーについてまとめると以下のようになります。
SoC | サプライヤー |
Snapdragon835 | Samsung |
Snapdragon845 | TSMC |
Snapdragon855 | TSMC |
Snapdragon865 | TSMC |
Snapdragon888 | Samsung |
Snapdragon 8 Gen 1 | Samsung |
直近のSoCで確認すると当たりSoCとされているSnapdragon835はSamsungの10nmプロセスルールを採用。なので一概にSamsungがダメとは言えませんが、Snapdragon888を見ると不安しかありません。
ちなみに来年登場する次期SoCはTSMCになると予測されています。その名称は現時点で不明。またユーザーに直結する部分でもありますが原価コスト。Dimensity9000も前モデルと比較するとコストが倍増。
Dimensity1200の原価コストがどの程度だったのか不明ですが2倍となるとインパクトがあり、さらにSnapdragon 8 Gen 1はDimensity9000よりも原価コストが高いとされています。
もちろんSnapdragon 8 Gen 1の発熱次第の面もありますが現状ではDimensity9000より発熱しやすい可能性が高く原価コストも高い。有名なリーカーも発熱の原因になっている可能性がある部分はSnapdragon 8 Gen1では改善されていないので期待していないとしています。
まずは今年中に発売されるXiaomi 12の発熱/電池持ちが気になる部分です。